Aug 24,2026
国产存储晶圆探针台，NAND/DDR/MRAM化研发测试解决方案
在存储芯片研发流程中，晶圆测试是流片完成后不可或缺的关键环节。在封装之前完成存储单元读写、漏电、擦写耐久、高低温可靠性等多项验证，能够提前筛选失效Die，从源头减少无效封装投入，有效控制研发成本。
一、森东宝半自动探针台的优势
森东宝CP‑200/CP‑300半自动探针台，针对NAND、DDR、MRAM、RRAM等主流及新型存储芯片开发，专注研发验证、工艺摸底、可靠性评测、失效分析与小批量中试测试，适配3‑8英寸晶圆，为存储设计企业、高校科研实验室、产业中试平台提供完整的国产化晶圆电性测试方案。
二、晶圆存储探针台核心产品优势
1.高精密运动定位，实现细密焊盘稳定扎针
设备采用高刚性铸铁基座搭配被动隔振架构，有效隔绝外界振动带来的测试干扰。XY轴运动分辨率达0.1μm，重复定位精度≤±2μm，面对存储芯片微小焊盘，可保障多次扎针的一致性，减少探针卡磨损损耗，规避虚接触引发的测试误判问题。
支持整片晶圆MAP良率扫描，可标记坏点位置并输出晶圆良率分布图，充分满足存储器件失效分析实验需求；长时间连续扫片作业，设备精度不易漂移，测试结果稳定可靠。
2.宽温域温控系统，全面覆盖存储可靠性验证需求
标配‑60℃～300℃宽温卡盘，控温精度可达±0.1℃，可完成存储芯片高温Retention数据保持、高温读写、温度循环等可靠性实验；支持拓展液氮77K极低温模块，可满足MRAM等新型存储材料的低温特性研究。
卡盘真空吸附结构经过存储场景专项优化，兼容薄晶圆、Taiko减薄晶圆，降低NAND减薄晶圆在测试过程中的碎裂风险。
3.低噪声信号链路，精准捕获存储微弱漏电信号
整机针对信号传输链路做专项优化，支持fA‑pA级微弱电流采集，能够精准识别存储单元漏电、隧穿电流等微小信号，规避环境噪声干扰造成的良率误判。
原生支持IV/CV、脉冲PIV测试，可开展存储单元脉冲读写、擦写耐久循环等表征测试；既可搭配森东宝FS‑Pro半导体参数测试仪使用，也可兼容是德B1500A等主流测试仪表，设备对接灵活度高。
4.拓展能力强，单台设备适配多类存储器件测试
探针座兼容手动、电动两种规格，可搭载存储专用探针卡，兼顾单点器件研究与小阵列晶圆测试；可接入GGB射频探针，实现高速存储射频性能表征。
样品兼容性广泛，裸晶圆、蓝膜晶圆、切片裸Die均可上机测试，DDR、NAND、MRAM、RRAM等多种存储器件可在同一套平台完成实验。可选配超高真空腔体，隔绝水汽氧化影响，进一步降低漏电流噪声，适配前沿新型存储的研发工作。
5.国产自研，交付与本地化服务优势显著
运动控制、光学、温控等核心模块均为自主研发设计，相较于进口设备，采购成本更优，交付周期更短，便于研发实验室、中试平台推进设备国产化替代。
依托深圳本地技术服务团队，可提供上门安装培训、远程快速调试服务；设备后期改造升级、配件更换响应高效，无需等待漫长的海外订货周期。整机采用开放式操作布局，晶圆装卸、探针卡更换操作简单便捷，有效降低研发人员的上手门槛。
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