Jun 17,2026
半导体失效分析（FA）设备，失效分析探针台设备
电性复现→无损检测→热点定位→开封去层→微观表征→成分复测，CS 系列是中小型实验室、FA 失效分析室主力电性测试平台，下面分机型、FA 适配优势、技术配置、FA 场景落地给大家推荐一下： 半导体失效分析（FA）设备，失效分析探针台设备。
一、产品定位：适配失效分析的紧凑型手动探针台
CS系列（CS-4、CS-6）为小型精密手动探针台，机身小巧、操作轻量化、定位精度优异，贴合实验室FA、研发验证需求；区别于全自动量产探针台，主打开封裸片、小尺寸晶圆、光电器件失效电性复现，是失效分析流程第一步「电性复现」的核心设备。
二、机型区分与FA适用范围
1.CS-4（失效分析主流款）
适配样品：4英寸及以内晶圆、单颗开封裸片、分立器件、MiniLED、光芯片、MEMS、拆解BGAdie
核心应用：
失效分析电性复测，复现短路、漏电、击穿、阈值异常等失效现象；
高校、第三方失效分析实验室、企业研发部小批量样品验证；
I-V、C-V、PIV直流电性测试，搭配光电模组完成光电器件光电联合测试；
配合EMMI/OBIRCH热点定位设备，通电同步观测芯片失效发光热点。
短板：载台尺寸限制，无法承载6寸整片晶圆，不适合大批量量产自动化探针测试。
2.CS-6
适配样品：6英寸及以下整片晶圆、多阵列裸片
FA拓展用途：多颗失效die批量对比电性测试、整片晶圆良率失效筛查、大面积功率器件失效分析。
三、适配失效分析的核心技术特点
1.高精度定位，匹配微米级焊盘扎针需求
XY粗调定位精度10μm，载台支持360°旋转，旋转分度0.1°；
针对FA开封芯片微小金属焊盘，可搭配2μm/0.7μm高精度微调探针座，精准扎取栅极、通孔、微小电极，避免扎偏导致失效复现失败。
2.高通用拓展性，覆盖多品类失效样品测试
最大兼容4寸晶圆载台，支持方形裸片、长条衬底、光芯片、功率分立器件；
载台360°全域旋转，芯片任意角度焊盘都可对准探针，适配随机开封不规则裸片；
标配背电极输出，适合MOS、功率器件衬底接地测试，复现栅氧漏电、ESD击穿失效；
最多可搭载6组探针座，多路同步加电，适配多引脚逻辑IC、驱动IC失效电性扫描；
光电、射频双兼容，可搭配光源、射频探针，完成VCSEL、光电探测器、射频芯片失效分析。
3.高稳定性设计，解决FA测试两大痛点：漂移、漏电流干扰
真空强吸附卡盘（FA刚需）
多孔负压真空吸附，裸片、超薄翘曲芯片完全贴平固定；探针下压产生的接触推力不会造成样品微位移，微米级探针定位不偏移，保证I-V曲线测试重复性，不会出现数据跳变误判失效。
低漏电整机架构
整机不锈钢屏蔽、同轴传动丝杠，机身绝缘优化，可搭配半导体参数分析仪完成fA级微弱漏电流测试，精准捕捉栅极微漏电、PN结软击穿类隐性失效。
同轴丝杠传动，消除回程间隙
反复微调探针无空程，多次复测同一失效点位，数据一致性高，满足FA多次对比验证需求。
四、在完整失效分析流程中的作用
第一步：电性复现（核心使用环节）
样品经C-SAM、X-Ray无损检测后，上机CS系列探针台，搭配半导体参数仪测试IV/CV/PIV，复现客户反馈的短路、高漏电、击穿、功能失效，锁定失效大致电路区域。
第三步：故障热点联动定位
探针台持续给失效芯片通电，外接EMMI红外发光设备、OBIRCH激光扫描设备，同步捕捉芯片内部发热、发光失效热点，标记精准坐标。
第六步：微观表征后复测验证
经激光开封、FIB切割、SEM微观观测后，再次使用CS探针台微区探测，对比良品与失效品电性参数，确认根因判断准确，完成失效分析闭环。
五、适用客户群体（失效分析场景）
第三方半导体失效分析实验室；
芯片设计、封测企业研发FA实验室；
光电、硅光、MEMS、功率器件企业品质分析部门；
高校微电子实验室、材料科研失效表征平台。
上一页： 无
下一页： 国内做光电探针台的厂家
最新资讯